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半导体技术2017年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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121. 利用显微喇曼光谱进行SiC单晶片应力分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 为了对4H-SiC单晶片进行无损应力表征,采用显微喇曼光谱仪测量了3英寸(1英寸=2.54 cm)和4英寸4H-SiC单晶片的显微喇曼光谱,并依据喇曼频移峰的移动及喇曼频移峰的半高宽(FWH...
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122. 硅外延生长高频感应系统的热场仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型.结合高频感应加热的机理,分析了电磁场与热场耦合作用,重点研究...
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123. GaN外延用蓝宝石衬底的图形化研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 因蓝宝石具有良好的稳定性能,且其生产技术成熟,是目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一.采用图形化蓝宝石衬底技术可以降低GaN外延层材料的位错密度,提高LED的内量子效率,同时提高LED...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 采用VIS 0.40 μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路...
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125. 一款高精度低功耗电压基准的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 设计了一款高输出电压情况下的高精度低功耗电压基准电路.电路采用了比例采样负反馈结构达到较高和可控的输出电压,并利用曲率补偿电路极大地减小了输出电压的温度系数.针对较宽输入电压范围内的超低线性...
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126. 标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6V移动到增强型...
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127. 小尺寸栅极HEMT器件结温测量刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低.而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作.针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响.对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层.在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 钝化发射极和背面电池(PERC)技术可有效提高电池效率,在常规p型电池的背面增加了钝化层,并形成了局部背表面场(LBSF)结构.介绍了PERC结构电池的工艺流程,分析了背场(BSF)的形成机...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 使用TCAD仿真软件对3 300 V沟槽栅IGBT的静态特性进行了仿真设计.重点研究了衬底材料参数、沟槽结构对器件击穿电压、电场峰值等参数的影响.仿真结果表明,随衬底电阻率增加,击穿电压增加...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败....
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133. 陶瓷复合FR4结构界面形貌与导热性能刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 基于热电分离式设计理念,将AlN陶瓷片金属化后作为微散热器嵌入FR4材料内形成了复合散热基板.采用电镜扫描、光学显微,通过冷热循环冲击试验对FR4与AlN两相界面处在高低温突变情况下的界面形...
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134. 基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法.用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期.TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化.通...
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135. 一种新颖的晶闸管串联均压的检验方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年11期页码:摘要： 为了改善由串联不均压引起的晶闸管失效问题,从晶闸管的选配和测试原理出发,详细分析了通态电流和器件温度等因素对串联选配的影响.提出了一种新颖的晶闸管串联均压的检验方法,并搭建了一个可以在一个周...
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136. 晶圆键合技术在LED应用中的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤...
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137. 一款高精度低电流的两级高电压电源调整电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 提出了一种改进的高输入电压调整电路结构,该电路结构在TSMC 0.25 μm BCD工艺平台进行验证.电路包括两个参考电压模块、两级调整电路和一个关断信号产生模块.介绍了初级电压调整和精确电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 采用0.25 μm SiGe双极CMOS (BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA).在寄生电容为65fF的情况下,电路分为主放大器模块、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 基于CREE公司生产的十条栅指AlGaN/GaN HEMT器件,利用热传导方程,研究了AlGaN/GaN HEMT器件热阻随热源尺寸的变化规律及影响机理,建立了GaN HEMT器件的热传播模...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析.通过原子...
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141. 硅衬底CMP过程中抛光雾的控制刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一.主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、pH值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响...
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142. 新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点.以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛...
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143. 抛光工艺对硅片表面Haze值的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视.通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律.结果表明,随着抛光时间的延...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si3N4和SiO2-Si3N4-SiO2-Si3N4 (ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 除了正四边形,正六边形也是倒装芯片中可行的焊球排布形式,为了预测封装倒装芯片时的下填充过程,需要精确计算毛细驱动压.在已有的焊球正四边形排布情况下平均毛细压计算方法的基础上,进一步研究了焊球...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 随着集成电路芯片制造工艺进入纳米阶段,电路可靠性问题变得越来越严重,以负偏置温度不稳定性效应为代表的电路老化也逐渐成为影响其性能的重要因素.基于老化预测的精确性和传感器功能的多样性,提出了一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 提高LED的光学和电学参数的测量精度与效率对于确保LED的产品质量、满足市场需求具有重要的意义.根据企业中LED的实际生产情况,给出了一种基于.NET平台的LED/板上芯片(COB)光电参数...
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150. 阻变存储阵列的自动化测试系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年12期页码:摘要： 阻变存储器(RRAM)是一种新型的不挥发存储技术,研究阻变存储器阵列规模的存储性能以及可靠性问题是推进RRAM实用化的关键.目前通用的基于微控探针台的半导体参数分析的常规测量系统无法完成对阵...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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