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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 研制了一种基于FET结构的Pt-LaF3混合膜全固态溶解氧传感器.对Pt-LaF3敏感膜的敏感机制以及传感器的器件结构和响应特性进行了分析,并实际测试了器件特性,给出了在不同工作点和不同温度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用自对准双极结构,生长一层RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的...
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243. 一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 从故障机理上研究了现有的
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244. InP材料直接键合技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 研究了InP/InP的直接键合技术,给出了详细的InP/InP键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据,在低于650℃的键合温度下实现了InP/InP大面积的均匀直接键合,获得了与单晶InP...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是RCA清洗技术.文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术.并利用X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法,分别比较了用两种清洗技术...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W/TiN叠层栅MOS电容的性能.实验选取了合适的TiN厚度来减小应力,以较小的TiN溅射率避免溅射过程对栅...
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248. 6H-SiC单极功率器件性能的温度关系刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性,利用有效电离系数的Fulop近似,推出了6H-SiC单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式.理论预言的击穿电压和临界电场与先前的...
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249. 衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 利用衬底热空穴(SHH)注入技术,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中,而热电子的存在是氧化层击穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 通过对PLL和DLL相位抖动的比较,结合DLL倍频器的结构特点,得出了一个有用的公式,这个公式可以用于在PLL和DLL两种结构中选择出一个最佳方案,使得在使用CMOS工艺实现频率合成器时能够...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 提出一种可以集成在SPIC(智能功率集成电路)内部的高压电压探测器的方法,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统,把场限环系统作为表面电压分压器.在通常的场限环外侧再增加两个环,对外...
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252. C60/硅基介孔复合物的发光研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 用化学沉积法制备了C60/多孔硅以及C60/硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物,并研究了它们的发光性质.结果表明C60的毗联可以影响多孔硅的发光性质,但对硅基多孔氧化铝的发光基本不产生影响.这...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体...
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254. 在氩气氛下生长的C60薄膜的结构与特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 采用惰性气氛蒸发法制备C60薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)及紫外-可见光谱研究了在氩(Ar)气氛下生长的C60薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性.AFM...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 报道了通过Co/Ni/SiOx/Si(100)体系固相反应,实现三元硅化物(Co1xNix)Si2薄膜外延生长及薄膜特性的表征.测试结果表明,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用.XRD和RB...
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256. 含N超薄栅氧化层的击穿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性.含N薄栅氧化层是先进行900C干氧氧化5min,再把SiO2栅介质放入1000C的N2O中退火20min而获得的,栅氧化层厚度为10nm.实验结果表明,在栅...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 用脉冲ArF准分子激光熔蚀SiC陶瓷靶,在800C Si(100)衬底上淀积SiC薄膜,经不同温度真空(10-3Pa)退火后,用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL谱等分析方法,研究了薄膜...
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258. 重掺硅中氧的测定刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 研究了重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω@cm)样品分别用气体熔化分析法(GFA法)和傅里叶变换红外法(FTIR法)测氧,而后用GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度.实验发现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 分析了多晶硅-金集成热堆中热电偶的尺寸和对数对热堆性能的影响,对非接触红外测温的实用型热堆提出了设计和改进的思路.随着热电偶对数的增加,时间常数减小,响应率增大,探测率出现最大值.减小热电偶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 对氧化层厚度为4和5nm的n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化.在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型,此模型适用于氧化层厚度...
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263. 衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 通过衬底热空穴(SHH,Substrate Hot Hoel)注入技术,对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比,SHH导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特...
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264. 一个新的pMOSFET栅电流退化模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 研究了最大栅电流应力(即pMOSFET最坏退化情况)下pMOSFET栅电流的退化特性.实验发现,在最大栅电流应力下,pMOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降,而且在应力初期和应力末期栅电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型.利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟,模型计算结果与实验吻合较好.初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响...
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267. 高纯GaAs中的等离子体振荡现象刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 报道了一种新的半导体体效应器件--体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1 2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子...
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268. 倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 在热循环疲劳加载条件下,使用C-SAM高频超声显微镜测得了B型和D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片/底充胶界面的分层和扩展,得到分层裂缝扩展速率.同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算...
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269. 基于缺陷统计分布的IC互连线可靠性模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 讨论了电路在直流和脉冲直流工作情况下互连线的寿命,并重点考虑了工艺缺陷软故障的影响,提出了新的互连线寿命估计模型.利用该模型可以估算出在考虑缺陷的影响时互连线的寿命变化情况,这对IC电路设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 介绍了一个采用异步电路设计的低功耗微控制器的电路结构及其VLSI的实现.该设计利用异步电路具有的低功耗特性,用异步逻辑设计并实现了一个8位低功耗微控制器.该微控制器与用传统同步方法设计PIC...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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