基于Si基芯片的Au/Al键合可靠性研究

• 作者: 崔洪波 王慧君 龚冰
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: Au/Al键合界面 Al/Au键合界面 柯肯达尔空洞 高温储存 金属间化合物
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: SMT PCB
• 页码范围: 214-218
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.04.008

摘要

对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究，重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键合点的形貌和强度进行检验，并根据拉力测试数据拟合出高温时间与拉力的关系曲线。最后，基于固相反应原理，给出高温状态下Au-Al系统金属间化合物的演变过程分析。结果表明，Al/Au键合界面比Au/Al界面在高温环境下的可持续工作时间更长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔洪波		8	22	3.0	4.0
2	王慧君		3	17	2.0	3.0
3	龚冰		1	4	1.0	1.0