4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究

• 作者: 李斌 毛开礼 王英民 赵高扬
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 同质外延 氯化氢 快速外延
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 191-193
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.04.002

摘要

高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物，研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于SiC外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数，采用原位HCl刻蚀工艺，获得了SiC单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺，外延层表面平滑，表面粗糙度仅0.218 nm，晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	毛开礼	西安理工大学材料科学与工程学院	10	34	3.0	5.0