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半导体技术2006年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年9期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32 nm/s,晶化率达58.2%.把这种高速生长的微晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计并利用控制孔技术加工了GaAs基微结构和基于该微结构的共振隧穿薄膜,并通过实验研究了微结构中共振隧穿薄膜的介观压阻效应,试验结果表明其介观压阻灵敏度比硅的最大压阻灵敏度高一个数量级.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了一个共源-共源共栅的两级低噪声放大器,并且在两级之间采用了串联谐振回路来提高电路的性能.该电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压为1.8 V.仿真结果显示,在2.45 ...
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215. 飞思卡尔率先将MRAM技术投入商用刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年9期页码:摘要：
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216. 晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表...
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217. 基于QFD的代工型晶圆厂生产绩效评价刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 利用质量机能展开(QFD)方法中面向客户需求的思想,提出一种基于QFD的代工型晶圆厂生产绩效的评价方法.通过确定客户需求和晶圆厂生产指标体系,构造了质量层,并给出了绩效评价步骤.案例结果也表...
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218. 表面翘曲度对晶圆直接键合的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 根据薄板弯曲理论,推导出晶圆表面翘曲度及夹具形状影响晶圆直接键合的理论公式,很好地解释了晶圆材料性质及尺寸大小对直接键合的影响.利用理论公式比较了晶圆在外压力和无外压力作用下翘曲度对晶圆直接...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了ZAO薄膜.在氮气气氛下进行退火处理,X射线衍射(XRD)谱表明ZAO薄膜具有六角纤锌矿的晶体结构.对ZAO薄膜的光电特性进行测量,结果显示薄膜的光致发光峰...
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220. 征稿启示刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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221. 先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变.亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 探讨了Mg阴极和Ag阴极的真空蒸镀工艺,Mg蒸镀电流在85A左右时压强开始迅速上升,但Mg原子并未被蒸镀到基底上.随着压强值迅速下降至约上升前的压强值2.6×10-3Pa时,Mg原子开始被蒸...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 用sol-gel法粉体技术制备TiO2粉,在TiO2粉体上用化学镀的方法制备了Ag为包覆层的复合导电粉体.测试TiO2-Ag复合导电粉体的体积电阻率,讨论了含银量、压力、煅烧温度对其体积电阻...
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224. AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 用原子力显微镜(AFM)研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响.通过实验得出了偏压、脉冲时间越大,加工尺寸越大的结论.并总结出氧化加工Si较好的参数范围.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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226. 中国半导体支撑业发展形势喜人刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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227. 硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加.介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各...
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228. 基于模糊神经网络的微波器件建模刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 通过模糊数据曲线来确定模糊规则,从而只需要根据系统的输入输出数据来建立网络最佳结构,并对BP算法进行了改进以加快网络模型的训练速度.在此基础上,用建立的模糊神经网络对微波无源器件共面波导的电...
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229. 一种低成本的硅垂直互连技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层.电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层.为...
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230. 高压LDMOS功耗的分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗...
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231. GaAs混频二极管的设计和制作刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件,从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺.介绍了GaAs混频二极管的主要性能:击穿电压VBR≥4 V,零偏压结电容0.1～0...
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232. 用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜.用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系.选用AlN...
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233. 高压LDMOS场极板的分析与设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其...
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234. 高速瞬态脉冲"缓冲减速"原理和模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 提出皮秒级电脉冲"缓冲减速"的原理是利用电容电荷存储网络来实现的.建立了电容电荷存储网络模型和有源缓冲电荷存储网络模型,设计出一种由GaAs MESFET和高频n沟道JFET构成的二级缓冲电...
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235. 迎接移动多媒体应用高清视频的挑战刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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239. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
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240. 业界动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年10期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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