半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 崔晓英 恩云飞 柏松 陈刚 黄云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  859-861,916
    摘要: SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料.研究了一种国产Sic MESFET 器件300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电...
  • 作者: 刘卫国 刘欢 周顺 蔡长龙 马睿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  862-865
    摘要: 在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能.介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实...
  • 作者: 程秀兰 阎海滨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  866-868
    摘要: 在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义.基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由...
  • 作者: 陈尧 黄其煜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  869-871
    摘要: 在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对...
  • 作者: 汤庭鳌 费瑾文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  872-875
    摘要: 采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温...
  • 作者: 康仁科 张银霞 郜伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  876-879,926
    摘要: 为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布,提高下道抛光工序的效率,采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布.结果表明,采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不...
  • 作者: 吴爱民 姜辛 宋世巍 徐茵 李瑞 王文彦 秦福文 顾彪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  880-884
    摘要: 采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原...
  • 作者: 杨建平 陈杨 陈爱莲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  885-887
    摘要: 掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料.以Ce(NO3)3·6H2O、Gd(NO3)3·6H2O为原料,NH4HCO3为沉淀剂,采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd...
  • 作者: 周浪 王艺帆
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  888-891
    摘要: 为降低光在多晶Si表面的反射,一种以湿法腐蚀为基础,添加超声波震荡的新方法,首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片.利用扫描电子显微镜观察发现,此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状...
  • 作者: 李新政 郑滨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  892-894
    摘要: 采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S:Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电...
  • 作者: 官众 张道礼
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  895-898
    摘要: 用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均...
  • 作者: 李用兵 王海龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  899-901
    摘要: 介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式.利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损...
  • 作者: 蔡伟智
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  902-904
    摘要: 针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个...
  • 作者: 张志勤 张秀丽 李胜华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  905-908
    摘要: 扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度.实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样...
  • 作者: 刘华珠 贺前华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  909-912
    摘要: 基于Ethemet over E1的原理,结合通用嵌入式芯片的功能特点,辅以现场可编程器件,介绍了Ethemet over E1网桥系统中核心部分的设计,包括网桥的系统统构、HDLC接口模块...
  • 作者: 杜寰 王文博 王晓慧 韩郑生 黄苒
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  913-916
    摘要: 以复杂可编程逻辑器件(CPLD))作为QVGA微显示视频核心控制单元,搭建LCOS微显示芯片驱动系统.通过对CPLD编程产生与微显示芯片相匹配的控制信号与显示数据信号,实现对显示芯片的驱动控...
  • 作者: 应建华 杨彪 田曲平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  917-922
    摘要: 设计了一种射频识别(RFID)收发器模拟前端芯片,可广泛应用于手持终端读卡器等读卡器电子设备.介绍了RFID收发器原理,并在滤波模块设计方面从系统传递函数入手,提出了分析有限增益运放传递函数...
  • 作者: 刘志军 刘文杰 吴洪江 王德宏 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  923-926
    摘要: 主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两...
  • 作者: 刘永强 罗希 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  927-929
    摘要: 介绍了典型功率测量负载牵引系统组成,以及验证系统准确性的AG.方法.通过调节输入输出阻抗,得到微波功率晶体管在4 GHz频率下的匹配阻抗,从而得到了器件在4 GHz条件大信号下真实性能,最大...
  • 作者: 何庆国 林勇 王嘉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  930-932
    摘要: 介质谐振器由于具有体积小、损耗低等优点,得到了越来越广泛的应用.设计了一款Ka波段介质稳频振荡器,振荡器中集成了介质谐振器用于选频.通过采用合适的介质振荡子及适当尺寸的金属屏蔽腔,使介质谐振...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  933-934
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  935-936
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  936
    摘要:
  • 作者: 叶立剑 杨小慧 邹勉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  937-940,951
    摘要: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新...
  • 作者: 孙璟兰 张福甲 戴宁 李陇遐 李霞 褚君浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  941-946
    摘要: 简述了CdZnTe材料与探测器的发展、国内外的研究现状及其广泛应用,分析了存在的问题和解决方法,同时介绍了本单位CdZnTe探测器的研发情况,包括探测器的制备工艺及性能测试与分析.制备出了性...
  • 作者: 张丽娜 韩雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  947-951
    摘要: 为消除温度在热超声倒装键合过程中芯片与基板对准精度的影响,必须将因键合加热而引起的图像抖动量控制在亚像素范围内.设计了一套实验方案,通过实验对比,发现在未启用吹气装置时图像间的抖动剧烈,明显...
  • 作者: 何小琦 庄志强 恩云飞 王歆 陆裕东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  952-955
    摘要: 采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCn)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究...
  • 作者: 罗智芸 陈新 高健
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  956-960
    摘要: 提出了一种基于BP神经网络的新建模方法.利用MATLAB神经网络函数建立网络,通过组合不同参数,将50组训练样本输入网络多次训练,比较结果误差及训练步数、时间,确定了最佳网络结构及参数设置值...
  • 作者: 王海风 田海兵 罗春炼 韩文爵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  961-964,1040
    摘要: 利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性.在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉...
  • 作者: 吴磊 张恩霞 曹阳根 李晓林 舒珺 苗烨麟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年11期
    页码:  965-967,975
    摘要: 集成电路塑封对产品质量要求很高.传统的塑封模中几百个型腔只有一个注射头,各型腔成型工艺的差异较大,相应产品的合格率大约为96%.分析了相关IC塑封成型工艺,设计制造了一套SOP系列通用的多料...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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