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半导体技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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31. 超宽带谐波混频器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 叙述了一种超宽带谐波混频器的原理、设计以及测试结果.该混频器主要由微带线巴伦、倍频器、单平衡混频器三部分组成.按中心频率为4.5 GHz设计出微带线巴伦结构,平衡端口输出相位差180°,具有...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究.采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用半导体加工工艺制备...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻.利用这样特性的阻变单元作为...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法.通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力.通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型.通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能.针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测...
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36. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要：
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37. 一种高效时钟树综合实现方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对ASIC芯片设计中时钟树综合效率和时序收敛的问题,提出了一种高效的时钟树综合方法,特别适用于现代先进深亚微米工艺中的高集成度、高复杂度的设计中.改进了传统时钟树综合方法,通过采用由下至上...
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38. K波段单片接收机设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz.在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路.在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于求不考虑边缘电容的静电微执行器动态Pull-in参数的能量分析法,并结合边缘电容的模型推导出考虑边缘电容情况下静电微执行器的动态Pull-in参数的计算方法.将不考虑边缘电容条件下的静电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果.在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成p...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一.低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP,这给抛光液对不同材料的选择性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性.采用等离子体增强化学气相沉积( PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长...
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44. BCB在光电芯片制造中的工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： BCB树脂具有良好的平坦化特性、电气特性和热稳定性,相比于聚酰亚胺等其他介质,它具有介电常数小,吸水率低,固化温度低和可靠性高等特点,可以用于进行沟槽填充.研究了一种采用BCB介质进行沟道填...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义.通过研究400～ 550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 利用有限元分析软件对φ为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律.随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料.经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术.通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究.采用光学发射光谱仪和扫描电镜研...
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49. 白光LED荧光粉研究及应用新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光LED器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光LED芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色、红色和绿色荧...
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50. 宽带毫米波四倍频器刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 对毫米波宽带四倍频器的设计方法并进行了理论分析及计算仿真.介绍了利用平衡式结构对奇次谐波进行抑制,从而实现宽带偶次倍频的原理,提出了选择肖特基二极管的原则.利用HFSS仿真和优化电路结构,采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量.一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制.介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对目前大功率LED灯的散热问题,研制了高效散热器件——平板微热管阵列.实验表明,平板微热管阵列具有良好的热输运能力,当蒸发段表面温度为69.5 ℃时,热流密度能够达到143.2W/cm2....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要：
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55. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验.在电路设计上,10 b...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理.通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性.在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5...
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58. 高压Trench IGBT的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT) IGBT的结构及工艺特点.通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 使用硅溶胶、pH值调节剂、表面活性剂和氧化剂等组分配制抛光液,通过超声波发生器雾化后,在负压下导入抛光区域界面进行CMP实验,并在相同的抛光参数下,与SSP-L抛光液常规抛光进行了比较.结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质.采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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