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半导体技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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151. 多晶硅铸锭温场分布的理论模拟与分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用二维轴对称近似的有限元法对DSS450型铸锭炉的温场分布进行理论模拟.对比分析了长晶过程中不同阶段的固液界面形状变化.随着长晶的持续进行,固液界面形状变得越平整,坩埚附近向内生长的晶体范...
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152. 非接触式LED结温测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 研究和分析了用LED的发光强度来表征LED的相对辐射强度和结温之间存在的线性关系,据此设计并实现了类似于正向电压法,基于相对辐射强度的非接触式测试系统,使用NIUSB6210数据采集卡在虚拟...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构.采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18～100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽.同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优...
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155. 局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点.然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道.研...
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156. GaN基HEMT器件的优化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能.通过仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.7...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 设计和制造了一种高效高功率的220 GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上.使用ADS和HFSS软件相结合...
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159. 新型垂直腔面发射激光器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一.为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL.在出光孔径为16 μm时,同时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜.研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统.扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免.主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×1019 cm...
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165. 不同结构nMOS管的总剂量辐射效应刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响.辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 光致发光谱是发光材料在特定光源照射下发出的不同波长光的强度分布,可广泛应用于材料的光学及掺杂特性研究领域,是一种非破坏性的测试技术.利用水热法生长了ZnO微米线,用闭管热扩散方法进行了掺As...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要： 发光二极管(LED)作为第四代照明光源,其发光性能不但和电学特性相关,还受pn结结温的影响.LED的发光效率随着结温的升高而降低,LED的使用寿命也会随之减小.因此对LED结温进行准确检测具...
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168. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年11期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案.近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结...
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170. 集成L波段VCO的频率合成器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延...
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171. 一种自动校准的低噪声放大器偏置电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片,通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定.芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性,并且避免了这些变化导致的放大...
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172. 低功耗电流模互连电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 芯片长距离互连时,通过传统的插入缓冲器方法减小延迟存在功耗大、占用芯片面积多等问题.针对这些问题,提出了一种电流模互连电路.这一电路在互连线上传输的信号电压摆幅很小,从而能够有效降低互连功耗...
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173. 150 V电荷耦合功率MOSFET的仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压.针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(pB...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs).采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm S...
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176. 无引线封装高温压力传感器刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀.观察发现,对于同一类型缺陷,低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1～2倍,证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低.通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 实验制备的柔性压电纳米发电机用旋涂得到的PVDF-TrFE薄膜作为有源层来实现机电转换.纳米发电机的有源层PVDF-TrFE薄膜在外加电场和温度场下被极化.在极化过程中,PVDF-TrFE薄...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响.XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构...
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180. 电子辐照改善双极型开关晶体管反向击穿特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年12期页码:摘要： 利用1.5 MeV Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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