利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC

• 作者: 李斌 田牧 魏汝省
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC薄膜 侧向生长 偏向4H-SiC衬底
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.01.013

摘要

引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域.连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好.低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×1016 cm-3.这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	魏汝省	中国电子科技集团公司第二研究所	6	5	2.0	2.0
3	田牧	中国电子科技集团公司第二研究所	3	11	2.0	3.0