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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 151. 热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究
    作者： 刘刚 刘忆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  498-502
    摘要： 研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响.在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500～1700℃合成质量较高...
  • 152. VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制
    作者： 兰天平 牛沈军 王建利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  503-505
    摘要： 结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
  • 153. 硅系太阳电池表面钝化技术比较
    作者： 王正志 王涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  506-508
    摘要： 通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价.从上述三个方面的比较可以看出,...
  • 154. 新型塑封器件开封方法以及封装缺陷
    作者： 张素娟 李海岸
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  509-511,519
    摘要： 随着塑封器件(PEMs)质量和可靠性的不断提高,塑封器件的应用领域进一步扩展,也逐步应用于军事领域.去除塑料包封层,露出芯片表面,是DPA(破坏性物理分析)及FA(失效分析)的关键一步.对塑...
  • 155. IC测试原理-芯片测试原理
    作者： Anthony K. Stevens Gordon W. Roberts Mark Burns 许伟达
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  512-514,519
    摘要：
  • 156. 射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征
    作者： 丁瑞钦 朱慧群
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  515-519
    摘要： 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄...
  • 157. 晶体中光电子涨落的影响因素
    作者： 李新政 郑滨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  520-522
    摘要： 针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素.在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;...
  • 158. 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET
    作者： 俞跃辉 宋朝瑞 程新红 袁凯 许仲德
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  523-525
    摘要： 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率...
  • 159. FPGA和ASIC设计特点及应用探讨
    作者： 孟李林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  526-529
    摘要： 介绍了ASIC、FPGA的设计步骤和设计流程,重点比较两者之间的设计特点和应用趋向,采用这两种不同方法完成40G高阶数字交叉连接芯片设计.通过比较表明:FPGA技术适用于小批量、产品更新快、...
  • 160. 嵌入式家庭网络关键技术的研究
    作者： 李晓峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  530-533,541
    摘要： 介绍了家庭网络的关键技术及其相关标准,给出了根据我国家庭网络标准而进行的总体结构和各部分的设计,研制了基于蓝牙技术的信息家电网络的设备,论述了主网和子网部分的具体实现.研制的设备已经得到实际...
  • 161. 最小元件的新型CCCⅡ-C电流模式滤波器
    作者： 宋树祥 曹才开 王卫东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  534-536,541
    摘要： 提出了一种基于电流控制传输器(CCC Ⅱ)的新型电流模式多功能滤波器电路.该电路仅由两个CCC Ⅱ及两个接地电容构成,无需接任何电阻元件,不仅能实现多输入单输出的低通、带通、高通、带阻、全通...
  • 162. 引信用MEMS加速度传感器敏感元件的设计
    作者： 刘俊 石云波 祁晓瑾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  537-541
    摘要： 根据引信环境信息探测的要求,设计了一种新型MEMS高g值压阻式加速度传感器敏感元件.通过ANSYS仿真对该结构进行了量程分析、抗过载分析、灵敏度分析及横向灵敏度分析,提供了一种新的阻尼设计方...
  • 163. 超低压差线性稳压器的带隙基准电路设计
    作者： 余华 邹雪城 陈朝阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  542-545,548
    摘要： 设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路.它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温...
  • 164. C波段低噪声放大器的设计
    作者： 张巧威 郭芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  546-548
    摘要： 介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0...
  • 165. 飞思卡尔ColdFire MCF5251为音频处理器带来全新体验
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  549-550
    摘要：
  • 166. 飞思卡尔在经济高效的大功率RF晶体管塑料封装领域实现突破--超模压塑料封装内的RF设备旨在以2GHz的频率提供与气腔封装一样的性能,同时降低放大器的成本并改进自动化装配
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  550
    摘要：
  • 167. 第四届科利登系列技术研讨年会于2006年6月2日在中国西安举办;同期现场展示Sapphire D-10
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  551
    摘要：
  • 168. 中国半导体行业协会与世界半导体理事会签署备忘录
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  552
    摘要：
  • 169. 300mm硅片化学机械抛光技术分析
    作者： 李耀东 林霖 王继 闫志瑞 鲁进军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  561-564
    摘要： 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械...
  • 170. 计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究
    作者： 刘玉岭 刘长宇 牛新环 王娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  565-568
    摘要： 随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决...
  • 171. KrF光刻工艺技术
    作者： 刘德明 王静辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  569-572
    摘要： 比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技...
  • 172. 体硅MOEMS阵列光开关的制作
    作者： 刘彩霞 周敬然 张歆东 梁静秋 王立军 董玮 贾翠萍 陈维友
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  573-575,587
    摘要： 设计了一种新型结构的MOEMS阵列光开关,开关由上电极阵列、倾斜下电极阵列和准直光纤阵列三部分组成.上电极阵列利用(110)硅片制作,其中包括反射镜阵列和扭臂驱动结构的上电极阵列.具有集成性...
  • 173. 玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究
    作者： 吴志华 王海涌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  576-578
    摘要： 介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势.针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数...
  • 174. 外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究
    作者： 秦福文 郎佳红 顾彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  579-582,587
    摘要： 论述了反射高能电子衍射(RHEED)作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系,提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况,并从衬底...
  • 175. VLSI边界扫描测试故障诊断及其策略研究
    作者： 倪军 徐丽红 成立 杨建宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  583-587
    摘要： 介绍了支持JTAG标准的IC芯片结构和故障测试的4-wire串行总线,以及运用边界扫描故障诊断的原理.实验中分析了IC故障类型、一般故障诊断流程和进行扫描链本身完整性测试的方案,并提出了一种...
  • 176. IC测试原理-射频/无线芯片测试基础
    作者： 许伟达
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  588-590,602
    摘要：
  • 177. 新型低电压能隙基准电压源
    作者： 刘伯安 张家川
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  591-593
    摘要： 介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic 0.18 rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2...
  • 178. InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究
    作者： 冯士维 孙静莹 张跃宗 李瑛 杨集 王承栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  594-597
    摘要： 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAs PIN探测器的透射率.计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3...
  • 179. 小波提升变换OFDM系统抗脉冲性能分析
    作者： 乐光新 赵尔沅 高建波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  598-602
    摘要： 利用小波提升理论构造一种新的多载波(OFDM)系统,在原傅里叶变换的OFDM(FFT-OFDM)系统的优越性的基础上,扩大系统容量及有效地利用系统的带宽,并使整个系统简单化.进一步对小波提升...
  • 180. 用于集成电路低压压敏陶瓷材料的研究
    作者： 张录周 朱传琴 范坤泰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年8期
    页码:  603-606
    摘要： 介绍了低压压敏陶瓷的导电机理、研究途径,实验并分析了掺入TiO2、籽晶和稳定剂Ta2O5对材料性能的影响及作用原理,做出了适合集成电路用的低压压敏陶瓷材料.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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