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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. IGBT技术发展综述
    作者： 叶立剑 杨小慧 邹勉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  937-940,951
    摘要： 绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新...
  • 2. 室温CdZnTe核辐射探测器研究进展
    作者： 孙璟兰 张福甲 戴宁 李陇遐 李霞 褚君浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  941-946
    摘要： 简述了CdZnTe材料与探测器的发展、国内外的研究现状及其广泛应用,分析了存在的问题和解决方法,同时介绍了本单位CdZnTe探测器的研发情况,包括探测器的制备工艺及性能测试与分析.制备出了性...
  • 3. 消除温度对倒装键合对准精度影响的方法
    作者： 张丽娜 韩雷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  947-951
    摘要： 为消除温度在热超声倒装键合过程中芯片与基板对准精度的影响,必须将因键合加热而引起的图像抖动量控制在亚像素范围内.设计了一套实验方案,通过实验对比,发现在未启用吹气装置时图像间的抖动剧烈,明显...
  • 4. 双面贴装电路板上BGA焊点的潜在失效机理
    作者： 何小琦 庄志强 恩云飞 王歆 陆裕东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  952-955
    摘要： 采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCn)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究...
  • 5. 基于BP神经网络的引线键合模型
    作者： 罗智芸 陈新 高健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  956-960
    摘要： 提出了一种基于BP神经网络的新建模方法.利用MATLAB神经网络函数建立网络,通过组合不同参数,将50组训练样本输入网络多次训练,比较结果误差及训练步数、时间,确定了最佳网络结构及参数设置值...
  • 6. 提高玻璃封装二极管可靠性的研究
    作者： 王海风 田海兵 罗春炼 韩文爵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  961-964,1040
    摘要： 利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性.在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉...
  • 7. SOP系列IC塑封工艺及通用MGP模具设计
    作者： 吴磊 张恩霞 曹阳根 李晓林 舒珺 苗烨麟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  965-967,975
    摘要： 集成电路塑封对产品质量要求很高.传统的塑封模中几百个型腔只有一个注射头,各型腔成型工艺的差异较大,相应产品的合格率大约为96%.分析了相关IC塑封成型工艺,设计制造了一套SOP系列通用的多料...
  • 8. 新型部分耗尽SOI器件体接触结构
    作者： 宋文斌 毕津顺 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  968-971
    摘要： 提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻....
  • 9. 非离子型活性剂在ULSI碱性Cu抛光液中的性能
    作者： 张然 李庆忠 郭东明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  972-975
    摘要： 使用四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性Cu抛光液中进行抛光实验.结果表明,所选用的非离子型表面活性剂对材料去除率的影响不大,当烷基酚聚氧乙烯醚在质量...
  • 10. 热压印中聚合物填充过程的仿真分析
    作者： 孟凡涛 褚金奎 郭庆 韩志涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  976-980
    摘要： 基于有限元方法并借助ANSYS软件对热压印过程中二维的聚合物填充过程进行模拟.聚合物加热温度高于剥离转化温度时,采用Mooney-Rivlin模型表示聚合物的机械性能.详细分析了深宽比、凹槽...
  • 11. Si单晶片切削液挂线性能的研究
    作者： 刘玉岭 周建伟 唐文栋 宁培桓 张伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  981-984
    摘要： Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率.为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了...
  • 12. 集成电路Cu互连线的XRD研究
    作者： 张卫 张立锋 徐赛生 曾磊 汪礼康 顾晓清
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  985-987
    摘要： 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在...
  • 13. 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究
    作者： 严如岳 于祥潞 徐永宽 杨巍 程红娟 赖占平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  988-990
    摘要： 通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺.工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌.发现不采用成核层直接生长...
  • 14. 掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究
    作者： 刘汉法 张化福 类成新 袁长坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  991-994
    摘要： 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄...
  • 15. 基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究
    作者： 孙凌 杨华岳 王磊 高超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  995-999
    摘要： 介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究.通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认...
  • 16. VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法
    作者： 于妍 吕菲 宋晶 秦学敏 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1000-1002
    摘要： 介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中...
  • 17. 真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命
    作者： 庞丙远 张殿朝 索开南 闫萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1003-1006
    摘要： 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因.单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶...
  • 18. 国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制
    作者： 商庆杰 杨克武 郝建民 陈昊 霍玉柱 齐国虎
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1007-1010
    摘要： 以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随...
  • 19. GaN基侧向外延生长技术与特性研究
    作者： 刘伟 彭晓雷 战瑛 李晓云 牛萍娟 田海涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1011-1015
    摘要： 为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量.主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术.用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少...
  • 20. 磨料和H2O2对InSb CMP效果影响的研究
    作者： 侯丽辉 刘玉岭 唐文栋 孙薇 宗思邈 张伟 李咸珍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1016-1019
    摘要： InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和...
  • 21. 超声键合换能系统中劈刀的振动特性分析
    作者： 吕雷 韩雷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1020-1023,1031
    摘要： 阐述了Lyapunov指数作为振动信号的混沌判断原理,并对换能系统的振动信号进行分析与研究,计算了换能系统在不同加载压力下劈刀的振动时间序列的Lyapunov指数.结果表明振动信号中的最大L...
  • 22. 瞬变电压抑制器失效模式和失效机理研究
    作者： 贾颖 黎明秀
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1024-1027
    摘要： 由于目前对TVS自身可靠性的研究较少,提出了对TVS产品的可靠性研究.这项研究得到国内TVS生产厂家的支持,对该厂6个型号TVS筛选进行了跟踪.根据筛选失效数据,对温度循环、箝位冲击、高温反...
  • 23. PBGA组件振动疲劳寿命的实验研究
    作者： 杨平 谭广斌 陈子夏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1028-1031
    摘要： 为了得到在基频激励下PBGA封装的可靠度特性,设计制作了一块包含不同结构和材料参数的PBGA组件样品,利用可靠性实验的方法测试了PBGA组件在正弦单频激励条件下的疲劳特性,同时运用Manso...
  • 24. 小封装二极管的热阻测试
    作者： 保爱林 傅剑锋 管国栋 邓爱民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1032-1035
    摘要： 随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试...
  • 25. 八通道多协议串行通信控制器的功能验证
    作者： 何书专 周喆 娄孝祥 张仲金 李丽 李伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1036-1040
    摘要： 超大规模集成电路芯片的验证是一项复杂的任务,占据了整个芯片设计工作量的70%.实现了一款八通道多协议串行通信控制器芯片的功能验证,介绍了基于总线功能模型验证平台的建立方法,并根据此芯片的设计...
  • 26. 2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
    作者： 王志亮 郭方敏 黄静
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1041-1043
    摘要： 对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析.以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(...
  • 27. 8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计
    作者： 张正平 潘星 王永禄
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1044-1047
    摘要： 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究.提出的高速采样保持电路(SH)采用SiG...
  • 28. 飞思卡尔Flexis AC微控制器系列针对大型家电市场进行优化
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1048-1049
    摘要：
  • 29. 征稿启示/《半导体技术》稿约及投稿方式
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1049,1051
    摘要：
  • 30. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年11期
    页码:  1050-1051
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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