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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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181. 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好...
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182. 平面结场板结构表面场分布的二维解析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型.在该模型基础上,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响.解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值...
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183. MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 详细分析了基于自镜像效应的MMI DMUX器件的基本工作原理,在此基础上,在SOI材料上完成了对8信道MMI DMUX的具体设计.该器件的输入、输出单模波导采用Soref的大截面脊形光波导理...
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184. 智能剥离SOI高温压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI(Silicon On Insulator)材料,并用该材料成功地研制了双岛-梁-膜结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容...
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186. 基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 在通常的MOSFET基础上,根据电荷流动电容器原理,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT),并以一种新型有机半导体材料--三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr[Pc(OC8...
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187. 耦合半导体制冷系统性能特性的优化分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 以制冷系数和制冷率为目标函数,探讨耦合半导体制冷系统的性能特性,导出最大的制冷系数和制冷率,优化半导体制冷器的内部结构,确定工作电流的最佳范围.所得结果可为耦合半导体制冷系统的优化设计和最佳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路...
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189. 薄膜全耗尽SOI CMOS器件和电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 对全耗尽SOI(FD SOI)CMOS器件和电路进行了研究,硅膜厚度为70nm.器件采用双多晶硅栅结构,即NMOS器件采用P+多晶硅栅,PMOS器件采用N+多晶硅栅,在轻沟道掺杂条件下,得到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年7期页码:摘要： 综合使用通用电路模拟软件PSPICE和有限元分析软件ANSYS对一种硅基微麦克风进行了系统模拟.得到了各项参数的优化值,优化后的微麦克风在音频范围内具有平直的响应.在此基础上,提出了一种To...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时...
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192. 高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 介绍了一种基于0.5μm CMOS DLL合成1GHz信号的新方法．这种方法的特点是只通过使用简单的逻辑和放大来产生倍频信号．该设计的频率合成器包括两个部分：一个DLL(Delay-Lock...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．主要制备工艺为：旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻蚀．以1.3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合...
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197. C70/GaAs异质结的电学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在高真空系统中，将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上，制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为...
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198. Cd1-xZnxTe合金的退火研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响．研究结果表明，红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感，而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀，两者互为补...
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199. 玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点,均匀性较好.量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大,但组份基本不变.研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系,证明光致发光谱中的低能峰与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析...
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201. SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0...
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202. 等离子体氧化制备超薄SiO2层的性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层．通过傅里叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、椭圆偏振法和电流电压（I-V）、电...
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203. 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，薄膜呈柱状结构，柱状晶直径约为100nm，晶柱内为结晶性能完整的单晶，而晶界处存在较大的应力．ZnO薄膜在He-Cd激光器激发...
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204. 低剂量SIMOX圆片研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征．结果显示，选择恰当的剂量能量窗口，低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 运用金属有机气相外延设备，在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为7...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's 的栅氧化层击穿进行了系统研究．对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验．根据实验结果，研究了沟道热载流子对于S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热，不仅使有机物发生结晶现象，还使器件产生气体并向外逸出，气体集聚在金属电极/有机层界面，从而形成表面气泡．质谱、色谱分析...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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